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技術資料

BPX-DXN(SGE)およびRH-12ms(INVENTX)に関する
技術者向け資料

本資料は、ガスクロマトグラム用キャピラリーカラム BPX-DXN(SGE)およびRH-12ms(INVENTX)に関する技術者向け資料です。やや古い資料ですが、ご参考までに公開します。なお、資料の閲覧およびダウンロードを行うには、お名前等のご登録をお願いしています。

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資料名 資料の概要
[No.1]
BPX-DXN(SGE)およびRH-12ms(INVENTX)を用いたダイオキシン類の測定
-各化合物フルアサインの例【Ver.7】-(541KB・41ページ/2003.05.12)
BPX-DXN(SGE)およびRH-12ms(INVENTX)を用いたダイオキシン類の測定クロマトグラムフルアサインの結果。
  • GC/MS測定分析条件
  • BPX-DXN(SGE)によるTetra~Octa PCDD(s)/PCDF(s)のフルアサインクロマトグラムおよびリテンションインデックス
  • RH-12ms(INVENTX)によるTetra~Octa PCDD(s)/PCDF(s),コプラナーPCBsおよびMono~Deca CB(s)のフルアサインクロマトグラムおよびリテンションインデックス
[No.3]
BPX-DXN(SGE)およびRH-12ms(INVENTX)を用いたダイオキシン類の測定-各測定質量電荷比のグルーピングと磁場のスイッチングポイント【Ver.7】-(371KB・12ページ/2002.12.17)
BPX-DXN(SGE)およびRH-12ms(INVENTX)を用いたダイオキシン類の測定の際の各測定質量電荷比のグルーピングと磁場のスイッチングポイントを示した資料。
  • BPX-DXN(SGE)によるTetra~Octa PCDD(s)/PCDF(s)の測定質量電荷比のグルーピングと磁場のスイッチングポイント
  • RH-12ms(INVENTX)によるTetra~Octa PCDD(s)/PCDF(s)測定質量電荷比のグルーピングと磁場のスイッチングポイント
  • RH-12ms(INVENTX)によるCo-PCBs測定質量電荷比のグルーピングと磁場のスイッチングポイント
[No.4]
BPX-DXN(SGE)およびRH-12ms(INVENTX)を用いたダイオキシン類の測定-RH-12ms(INVENTX)を用いたPCBsクロマトグラム例【Ver.7】-(125KB・5ページ/2003.05.30)
カネクロール中のPCBs主要異性体のRH-12msにおける溶出位置とコプラナーPCBs測定時のフラグメントの確認に有用。
  • RH-12ms(INVENTX)を用いたPCBsの全化合物を混合標準溶液のTetra~Hepta CBs測定クロマトグラム
  • RH-12ms(INVENTX)を用いたカネクロール(KC300,400,500,600等量混合)溶液のTetra~Hepta CBs測定クロマトグラム
[No.5]
RH-12ms(INVENTX)を用いたPOPsおよび関連物質の測定(296KB・8ページ/2004.11.25)
RH-12ms(INVENTX)によるPOPsおよび関連化合物のフルアサインクロマトグラム,GC/MS測定分析条件およびリテンションインデックス
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